【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】相关申请的交叉引用本申请涉及并要求于2011年5月2日提交的标题为“用于宽带码分多址手机应用的带共存滤波器的无线局域网功率放大器架构”的美国临时申请No.61/481,557的优先权,其全部内容通过引用合并于此。声明答复:联邦资助的研究/开发不适用
本公开一般地涉及射频(RF)信号电路系统,更具体而言,涉及用于移动无线通信装置的带共存滤波器的无线局域网(WLAN)功率放大器。
技术介绍
无线通信系统在包括长距离和短距离等数据传输的很多配置环境中获得应用,并且存在适于满足每一个特定的需求的广泛模态。关于普及和部署这些系统,其中主要是移动或蜂窝式电话,据估算,世界范围内已经有超过46亿的订购。通常,无线通信涉及被各种不同地调制成表示数据的射频(RF)载波信号,而对所述信号的调制、发送、接收和解调符合一系列的对应标准。目前存在很多不同的移动通信技术或空中接口,包括GSM(全球移动通信系统)、EDGE(增强型数据速率GSM演进技术)和UMTS(通用移动通信系统)。这些技术目前存在各种不同的代并且处于不同部署阶段,其中被称为UMTS-FDD(频分双工)的第三代(3G)UMTS相关模态就是W-CDMA(宽带码分复用)。除了诸如这些的移动通信模态之外,移动电话还结合了局域数据网模态,例如无线局域网,或WLAN(IEEE80.11x)。对此而言,移动电话或任何无线通信系统的一个基本部 ...
【技术保护点】
一种功率放大器架构,用于针对工作频率将收发器连接至天线并且包括输入端口和输出端口,所述功率放大器架构包括:输入匹配部分,其连接至所述输入端口;输出匹配部分,其连接至所述输出端口;至少一个滤波器,其具有抑制频率范围;放大器部分,其包括至少一个晶体管,所述晶体管的第一端子连接至所述输入匹配部分,第二端子连接至所述输出匹配部分,第三端子连接至所述滤波器,所述滤波器以紧挨的方式连接至第一感应互连,所述第一感应互连将与所述第三端子连接的节点联接至地;和补偿器,其连接至所述输入匹配部分和所述输出匹配部分以使所述滤波器的不稳定性最小化。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.05.02 US 61/481,5571.一种功率放大器架构,用于针对工作频率将收发器连接至天
线并且包括输入端口和输出端口,所述功率放大器架构包括:
输入匹配部分,其连接至所述输入端口;
输出匹配部分,其连接至所述输出端口;
至少一个滤波器,其具有抑制频率范围;
放大器部分,其包括至少一个晶体管,所述晶体管的第一端子
连接至所述输入匹配部分,第二端子连接至所述输出匹配部分,第三
端子连接至所述滤波器,所述滤波器以紧挨的方式连接至第一感应互
连,所述第一感应互连将与所述第三端子连接的节点联接至地;和
补偿器,其连接至所述输入匹配部分和所述输出匹配部分以使
所述滤波器的不稳定性最小化。
2.根据权利要求1所述的功率放大器架构,其中,所述滤波器
包括联接至所述节点的第一滤波电容器和与所述第一滤波电容器串
联并且联接至地的第一滤波电感器。
3.根据权利要求2所述的功率放大器架构,其中,所述第一滤
波电感器是与所述第一电感互连有并联关系的第二电感互连,所述第
一和第二接合线彼此磁耦合。
4.根据权利要求3所述的功率放大器架构,其中,所述第一电
感互连和所述第二电感互连之间的磁耦合系数大约是0.4至0.5。
5.根据权利要求2所述的功率放大器架构,其中,所述第一滤
波电容器和所述第一滤波电感器在所述工作频率上具有对应于小电
阻阻抗和电抗阻抗的值,以及在所述抑制频率范围内具有对应于大电
阻阻抗和电抗阻抗的值。
6.根据权利要求5所述的功率放大器架构,其中,所述工作频
率上的电阻阻抗小于约4欧姆,并且所述抑制频率范围内的电阻阻抗
大于约15欧姆。
7.根据权利要求5所述的功率放大器架构,其中,所述工作频
率上的电抗阻抗大约为0欧姆,并且所述抑制频率范围内的电感电抗
阻抗大于约20欧姆。
8.根据权利要求2所述的功率放大器架构,其中,所述滤波器
包括联接至所述节点的第二滤波电容器和与所述第二滤波电容器串
联并且联接至地的第二滤波电感器。
9.根据权利要求8所述的功率放大器架构,其中,所述第一滤
波电感器和所述第二滤波电感器分别是与所述第一电感互连有并联
关系的第二电感互连和第三电感互连,所述第一、第二和第三电感互
连彼此磁耦合。
10.根据权利要求9所述的功率放大器架构,其中,所述第一
电感互连和所述第二电感互连之间的第一磁耦合系数以及所述第一
电感互连和所述第三电感互连之间的第二磁耦合系数大约是0.4至
0.5,并且所述第二电感互连和所述第三电感互连之间的第三磁耦合
系数大约是0.2至0.3。
11.根据权利要求2所述的功率放大器架构,其中,所述滤波
器包括联接至所述第三端子的第二滤波电容器和与所述第二滤波电
容器串联并且联接至地的第二滤波电感器,以及包括连接在所述第三
端子和所述节点之间的第三滤波电感器。
12.根据权利要求11所述的功率放大器架构,其中,所述第一
滤波电感器和所述第二滤波电感器分别是与所述第一电感互连有并
\t联关系的第二电感互连和第三电感互连,所述第一、第二和第三电感
互连彼此磁耦合。
13.根据权利要求1所述的功率放大器架构,其中,所述放大
器部分包括按多级序列连接的多个晶体管,一个以上所述晶体管被连
接至各个滤波器。
14.根据权利要求1所述的功率放大器架构,其中,所述补偿
器包括:
并联共振电路,其具有第一补偿电容器和补偿电感器,通过接
近所述工作频率的共振频率来定义所述并联共振电路;和
第二补偿电容器,其与所述并联共振电路串联连接。
15.根据权利要求14所述的功率放大器架构,其中,所述补偿
器影响特定信号频率上的抑制特性。
16.根据权利要求1所述的功率放大器架构,其中,所述第一
电感互连是接合线。
17.根据权利要求1所述的功率放大器架构,其中,所述第一
电感互连是片上印刷电感器。
18.根据权利要求1所述的功率放大器架构,其中,所述晶体
管是双极性型,其第一端子是基极端子,第二端子是集电极端子,第
三端子是发射极端子。
19.根据权利要求1所述的功率放大器架构,其中,所述晶体
管是场效应型,其第一端子是栅极端子,第二端子是源极端子,第三
端子是漏极端子。
20.根据权利要求1所述的功率放大器架构,其中,所述至少
一个晶体管构建在半导体架构上,所述半导体架构从以下项构成的组
中选取:金属氧化物半导体场效...
【专利技术属性】
技术研发人员:阿列克桑德尔·戈尔巴乔夫,
申请(专利权)人:阿法克斯公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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