西安许继电力电子技术有限公司专利技术

西安许继电力电子技术有限公司共有128项专利

  • 本发明公开了一种双管反激拓扑开关电源开关管驱动电路,包括驱动信号输入端、第一电容、驱动变压器、第二电容、第三电容、第三电容、第四电容、第五电容、第一三极管、第二三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一稳压管及第二稳压管。本发...
  • 本发明公开了一种三相EMI滤波器的共模干扰抑制电路,包括EMI滤波器本体,EMI滤波器本体包括可调电阻、铁芯以及缠绕于铁芯上的第一原边线圈、第二原边线圈、第三原边线圈、第四原边线圈及副边线圈;第一原边线圈、第二原边线圈及第三原边线圈分别...
  • 本发明公开了一种带耦合电感的隔离型三电平双向直流‑直流变换器,包括高压侧输入电容、低压侧输入电容、高压侧电源、低压侧电源、第一功率开关管、第二功率开关管、第三功率开关管、第四功率开关管、第一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管、以...
  • 模块化多电平换流器直流故障穿越能力评价方法及系统
    本发明涉及一种模块化多电平换流器直流故障穿越能力评价方法及系统,属直流输电技术领域。本发明首先计算待考察拓扑MMC的故障电流积分和故障后最大子模块电压偏差;然后以与待考察拓扑MMC相同电容个数下的半桥式MMC的故障电流积分和故障后最大子...
  • 一种SiC MOSFET三电平逆变电路损耗计算方法
    本发明公开了一种SiC MOSFET三电平逆变电路损耗计算方法,根据T型三电平电路拓扑建立开关管导通损耗计算模型和开关管开关损耗计算模型;根据建立开关管导通损耗计算模型和开关管开关损耗计算模型,建立单相4个SiC MOSFET和二极管的...
  • 本发明公开了一种无通讯互联线微网储能系统及直流电压偏差控制方法,通过一台具有定直流电压控制功能的双向变流器,能在其功率允许范围内稳定系统的直流电压,以及两个具有电压偏差控制能力的接储能元件的直流变换器,能够自适应地工作于恒功率模式或定直...
  • 具备直流故障穿越能力的混合子模块式MMC换流器
    本发明涉及一种具备直流故障穿越能力的混合子模块式MMC换流器。该混合子模块式MMC拓扑与半桥MMC类似,仍为三相六桥臂结构,但单个桥臂由m个半桥式子模块(HBSM),n个全桥式子模块(FBSM)以及l个钳位双子模块(CDSM)依次级联而...
  • 本实用新型涉及一种光伏并网逆变器控制装置的冗余供电系统,包括分别由电网和太阳能电池板提供供电电源为光伏并网逆变器控制装置冗余供电的电网供电子系统和太阳能电池板供电子系统,还包括由外部工业用电为光伏逆变器控制装置供电的外部工业用电供电子系...
首页 1 2 3 4 5 6 7