本发明涉及一种电路及其控制方法，具体公开了充电完成检测电路及其控制方法，该电路包括电池模块和MCU模块，还包括与所述电池模块的输出连接的电压分压模块和电流采样模块，以及与所述MCU模块的输出连接的充电完成检测模块；所述电压分压模块、电流...

本实用新型涉及一种ESD防护器件版图布局结构，其中包括P型二极管、N型二极管、N阱和焊盘，所述的P型二极管设置于所述的N阱内，且分别与所述的焊盘和电源相连接，所述的N型二极管与所述的焊盘相连接并接地，所述的P型二极管和N型二极管均设置于...

本实用新型涉及一种可集成的总线供电电路，包括限流源模块、LDO模块、功能模块、接收及恒流发送模块和第二二极管，所述的限流源模块分别与总线负极线Ln、所述的第二二极管的负极、所述的接收及恒流发送模块和所述的LDO模块相连接，所述的LDO模...

本实用新型涉及一种温控点可修调的智能温控电路，包括带隙基准模块，用于产生带隙基准电压和正温度系数电流；温度控制模块，用于调整内部电阻的阻值以修调温控点。采用了该电路，通过中测修调熔丝改变智能温控点，提高不同电路间温控点的一致性，改善温控...

本发明涉及一种多传感器接口的处理芯片电路，其中包括传感器组合接口模块，用于为不同传感器供电，并接收不同传感器的输入信号；信号预处理模块，用于进行调零，并对分时传入的传感器信号进行降噪、放大和调制；微控制模块，用于对调制后的信号进行算法处...

本发明涉及一种检测电路，具体是一种消除运放失调电压的电流检测电路，包括采样电阻、倍数放大电路、带隙基准、偏移电压选择电路、译码控制电路和模数转换器，所述采样电阻串联于需要进行电流检测的电流回路中，所述带隙基准的三路输出和所述译码控制电路...

本实用新型涉及一种恒流LED驱动电路，包括一体封装的低压驱动芯片模块和功率MOS芯片模块，其中低压驱动芯片模块具有低压供电端VDD、漏端Drain、接地端GND和栅端GD，低压供电端VDD通过稳压电容接地，接地端GND通过电阻接地，功率...

本实用新型提供一种带扩频功能的振荡器电路，其包括振荡器模块和调制电路。振荡器模块包括第一电流源、第二电流源、第一开关、第二开关、电容和逻辑电路。调制电路包括周期调制模块和随机调制模块，周期调制模块输出周期性变化的第一调制充电电流，和/或...

本实用新型公开了一种同步整流时序控制器、无线充电全桥同步整流电路及系统，其中所述同步整流时序控制器包括：第一比较器，用于比较第一交流信号和整流信号，输出第一交流高采样信号；第二比较器，用于比较第二交流信号和整流信号，输出第二交流高采样信...

本实用新型涉及一种LED驱动过压保护电路，包括电压比较脉冲输出电路模块、延时升压控制电路模块、参考电压产生电路模块，所述的参考电压产生电路模块的输入端与LED驱动芯片的OVP管脚相连接，且该参考电压产生电路模块的输出端接于所述的电压比较...

本实用新型提供一种直流‑直流转换电路的封装结构，其包括引线框、直流‑直流转换电路以及包覆引线框和直流‑直流转换电路的封装体。引线框，其包括第一基岛、第二基岛以及设置于第一基岛和第二基岛周围的引脚；直流‑直流转换电路包括直流‑直流控制电路...

本发明提供一种硅麦克风及其中的专用集成电路，专用集成电路包括电荷泵，电荷泵包括第一升压电路、第二升压电路、第一二极管和第二二极管，每个升压电路均包括N级升压单元，每个升压电路的相邻两级升压单元中的前一级升压单元的输出端与后一级升压单元的...

本发明涉及一种具有宽输入电压范围和可调阈值电压的输入电路，其中包括电压箝位模块(1)、下拉电流漏电路模块(2)以及外围电路模块；所述的下拉电流漏电路模块(2)同时与所述的电压箝位模块(1)、所述的外围电路模块以及后级电路模块相连接，所述...

本发明涉及一种可集成的总线供电电路，包括限流源模块、LDO模块、功能模块、接收及恒流发送模块和第二二极管，所述的限流源模块分别与总线负极线Ln、所述的第二二极管的负极、所述的接收及恒流发送模块和所述的LDO模块相连接，所述的LDO模块分...

本发明涉及一种芯片封装框架，涉及芯片封装技术，其中，所述的芯片封装框架包括基岛、引脚；任意数个相邻的引脚在框架外部相连，且该任意数个相邻的引脚在框架内部相连后与所述的基岛相连；本发明还涉及一种芯片封装结构，其包括上述的芯片封装框架。采用...

本发明提供一种SoC系统的校验方法，其特征在于，包括以下步骤：1）单片机mcu通过数据总线将要校验的数据输入到32位数据输入寄存器；2）CRC并行计算模块从输入寄存器中取出数据；3）CRC并行计算模块进行基于CRC_CCITT标准的CR...

本发明公开了一种电路，具体一种具有箝位功能的比较器电路，包括NMOS管、PMOS管和比较器，所述NMOS管的源极和衬底短接在一起，其漏极与电源相连；所述PMOS管的源极和衬底短接在一起，其漏极与地相连；所述比较器的一输入端连接所述NMO...

本发明提供一种集成退磁采样器件的HVMOS，该HVMOS包括P衬底、N漂移区、N型掺杂漏极端、场氧化层、栅氧化层、P型阱源极端、场极板和栅极，场极板与漏极端通过两者之间的介质形成高压覆盖电容，本HVMOS提出的独立高压覆盖电容实现方式集...

本发明涉及一种实现触摸屏自动校准的方法，包括以下步骤：(1)计算各通道的偏差值；(2)根据所述的偏差值对实际的采样值进行校准；(3)将校准后的数据输出值滤波器。采用该实现触摸屏自动校准的方法，原MCD通道校准的电流校准模块采用了大尺寸的...

本实用新型公开了一种电路，具体一种具有箝位功能的比较器电路，包括NMOS管、PMOS管和比较器，所述NMOS管的源极和衬底短接在一起，其漏极与电源相连；所述PMOS管的源极和衬底短接在一起，其漏极与地相连；所述比较器的一输入端连接所述N...