在阵列中的OTP(一次性可编程)存储器单元，具有编程MOSFET以及对称地置于编程MOSFET的两侧中任一侧上的存取晶体管。存储器单元的平衡布局改进了光刻效应，带来了改进的工艺结果。对存储器单元进行编程的结果也得以改进。

公开了使用在与晶闸管相邻的沟槽中具有栅极、NMOS或PMOS的垂直晶闸管的易失性存储器阵列以及制造所述阵列的方法。

本发明涉及闸流晶体管随机存取存储器中的功率减小。本发明公开了一种使用垂直闸流晶体管的易失性存储器阵列，同时公开了减少这种阵列中功耗的方法。

本发明提供了用于减小在存储器阵列中的晶闸管存储器单元之间的电气干扰效应的方法和系统。通过使用具有减小的少数载流子寿命的材料作为嵌在阵列内的阴极线来减小单元之间的电气干扰效应。还通过形成阴极线内的势阱或阴极线中的单侧势垒来减小干扰效应。

本发明提供了用于减小在存储器阵列中的晶闸管存储器单元之间的电气干扰效应的方法和系统。通过使用具有减小的少数载流子寿命的材料作为嵌在阵列内的阴极线来减小单元之间的电气干扰效应。还通过形成阴极线内的势阱或阴极线中的单侧势垒来减小干扰效应。

新存储技术的存取速度可能不兼容现有存储器技术的产品规格，例如DRAM、SRAM和闪存技术。它们的电气参数和表现不同，使得它们在不具有新的架构和设计来克服其限制的情况下不能满足现有的存储器芯规格。新型存储器，例如STT‑MRAM、电阻RA...

本文描述了用于判断位单元读取或写入速率是否需要刷新被存取的或相邻的位单元的方法和系统。刷新经历了高频页地址读取操作和写入操作的VLT存储器位单元有助于保持存储在VLT存储器位单元中的数据的完整性。该方法和系统判断在每个RAS周期期间页地...

说明了用于SRAM集成电路的基于晶闸管的存储器单元连同制造它的过程。存储器单元可以在MOS与双极型选择晶体管的不同组合中或者在没有选择晶体管的情况下实施，晶闸管在具有浅槽隔离的半导体衬底中。标准CMOS工艺技术可以用于制造该SRAM。特...

说明了用于SRAM集成电路的基于晶闸管的存储器单元连同制造它的过程。存储器单元可以在MOS与双极型选择晶体管的不同组合中或者在没有选择晶体管的情况下实施，晶闸管在具有浅槽隔离的半导体衬底中。标准CMOS工艺技术可以用于制造该SRAM。特...

说明了用于SRAM集成电路的基于晶闸管的两晶体管存储器单元连同操作方法。存储器单元可以在MOS与双极型选择晶体管的不同组合中或者在没有选择晶体管的情况下实施，晶闸管在具有浅槽隔离的半导体衬底中。标准CMOS工艺技术可以用于制造该SRAM。

说明了用于SRAM集成电路的基于晶闸管的两晶体管存储器单元连同制造它的过程。存储器单元可以在MOS与双极型选择晶体管的不同组合中或者在没有选择晶体管的情况下实施，晶闸管在具有浅槽隔离的半导体衬底中。标准CMOS工艺技术可以用于制造该SR...

本发明公开了一种使用垂直闸流晶体管的易失性存储器阵列，同时公开了减少这种阵列中功耗的方法。

本发明公开了一种使用垂直闸流晶体管的易失性存储器阵列，同时公开了制造该阵列的方法。

说明了用于SRAM集成电路的基于晶闸管的两晶体管存储器单元连同制造它的过程。存储器单元可以在MOS与双极型选择晶体管的不同组合中或者在没有选择晶体管的情况下实施，晶闸管在具有浅槽隔离的半导体衬底中。标准CMOS工艺技术可以用于制造该SR...

本发明公开了一种使用垂直闸流晶体管的易失性存储器阵列，同时公开了操作该阵列以读取、写入、保持和刷新其中存储的数据的方法。

本发明提供了一种用于形成在存储器阵列中的可编程存储单元，该存储器阵列设有列位线与行字线。该存储单元包括一击穿晶体管，该击穿晶体管的门电路连接到一编程字线，以及一写晶体管，该写晶体管在一感测节点与击穿晶体管串联。该写晶体管的门电路连接到一...