本发明公开了一种电磁屏蔽用导电涂料，所述涂料是采用多组原料制备的复合涂料，涂料组成的重量配比为：化硅30％～40％、聚苯胺10％～12％、聚吡咯8％～10％、环氧树脂10％～30％、聚氨酯2％～4％、聚酰亚胺3％～5％、酚醛1％～3％、...

本发明公开了一种膨胀型防火涂料，所述膨胀型防火涂料组成的重量配比为：聚磷酸铵20‑22kg、季戊四醇11.4‑11.6kg、三聚氰胺11.4‑11.6kg、钛白粉4.6‑4.8kg、六偏磷酸钠0.9‑1.1kg、六甲基纤维素3.6‑3....

本发明公开了一种光纤光缆的制作工艺，包括如下步骤：S1、制备及提取：由精准控制提取高纯度SiO2含量小于几个PPb、少量高折射率掺杂剂GeO2、TiO2、Al2O3、ZrO2含量小于1PPim和低折射率掺杂剂SiF4(F)或B2O3或P...

本发明公开了一种矿泉水瓶及其加工制造工艺，包括瓶体和瓶盖，所述瓶体具体由封条和半瓶体组成，所述瓶盖活动连接与瓶体顶部，所述瓶盖顶部热熔固定有指环座，所述指环座顶部一体成型有指环，所述封条表面中部固定有凹槽，所述封条顶端热熔固定有连接片。...

本发明公开了一种密封管道的制作工艺，包括如下步骤：S1、材料检测：检查钢材外观质量是否符合国家现行有关标准的规定，当钢材表面有锈蚀、麻点或划痕等缺陷时，其深度不得大于钢材厚度允许偏差值的12％；钢材表面的锈蚀等级应符合现行国家标准涂装前...

本发明公开了一种基于LED灯的太阳光仿制光源的制作方法，包括如下步骤：S1、在LED支架上固晶蓝光芯片；将预设配方将蓝绿粉、绿粉、第一红粉和第二红粉混合得到荧光粉；S2、所述荧光粉用于使LED光源出射的光线仿太阳光光谱；S3、所述蓝光芯...

本发明公开了一种具有高效散热功能的防碰撞LED封装结构，包括基板、LED芯片、引脚和底座，所述基板上端连接有LED芯片，所述基板下端设置有底座，所述引脚分别设置于底座两端，所述基板两端均连接有导热硅胶，所述导热硅胶一侧连接有散热口，所述...

本发明公开了一种简便的芯片封装方法，包括如下步骤：S1、扩晶：采用扩张机将厂商提供的整张LED晶片薄膜均匀扩张，使附着在薄膜表面紧密排列的LED晶粒拉开，便于刺晶；S2、背胶：将扩好晶的扩晶环放在已刮好银浆层的背胶机面上，背上银浆。点银...

本发明公开了一种基于芯片级封装的偏振发光二极管的封装方法，包括如下步骤：S1、LED芯片检验，镜检：材料表面是否有机械损伤及麻点麻坑芯片尺寸及电极大小是否符合工艺要求，电极图案是否完整等等；S2、扩片：我们采用扩片机对黏结芯片的膜进行扩...

本发明公开了一种基于芯片级封装外壳的半导体器件的制作方法，包括如下步骤：S1、磨片：晶圆被固定在高速旋转的真空吸盘工作台上，高速旋转的砂轮从背面将晶圆磨薄，将晶圆，磨到指定的厚度，经过晶圆光学检查来进行质量检查，通常TSOP单芯片封装的...

本发明公开了一种自来水管网信息监测设备，包括信号监测设备、信号接收设备、一号流量控制设备和二号流量控制设备，所述信号监测设备内部设有领导监测装置、员工质检装置和员工采集装置，所述信号接收设备内部设有信号接收服务器和GPRS，所述一号流量...

本发明公开了一种磁疗保健再生纤维素纤维，主要由羟基铁氧体纳米粉、琥珀酰亚胺、邻苯二甲酰亚胺、氢氧化钠和再生竹纤维素经粘胶纺丝工艺制备而成；所述羟基铁氧体纳米粉的制备步骤主要为：先配置金属硝酸盐‑乙醇混合溶液，然后加入低聚物水溶性壳聚糖络...

本发明提供一种粮食烘干设备，包括上料机构、下料机构以及设置在所述上料机构和下料机构之间的烘干机构，还包括控制装置，所述控制装置分别连接所述上料机构、下料机构和烘干机构；所述烘干机构包括初级烘干装置、二级烘干装置和三级烘干装置，所述上料机...

本发明提供一种服装制作用布料快速涂布装置，属于服装制作技术领域。所述服装制作用布料快速涂布装置，包括放料辊、进料辊组、涂布机构、干燥机构和收料辊。所述涂布机构设置在进料辊组和收料辊之间，位于布料运行轨迹的上方，包括容纳待涂布浆料的储料罐...

本发明公开了一种长效抗菌再生纤维素纤维，所述长效抗菌纤维素纤维主要由再生竹纤维素与碳纳米管形成的混合液经单向冷冻干燥后制得具有单向定向孔的碳纳米管/纤维素复合材料，然后将银离子通过浸泡法组装到碳纳米管/纤维素复合材料中，再利用水合肼将碳...

本发明公开一种连接器自动装配机，包括机架和送料架，机架的上端设有一工作台，送料架与工作台的一端连接，工作台的另一端设有成品包装装置，工作台的中部设有铁壳输送装置，铁壳输送装置的一侧设有端子排输送装置，铁壳输送装置的另一侧设有铁壳定位装置...

本发明公布了一种石墨烯晶体管结构，其包括石墨烯与二硫化钼构成的异质结沟道层；采用二硫化钼构成的源漏外延层；在石墨烯层上沉积的HfAlON栅介质；HfAlON栅介质上的WSi栅金属；以及源漏外延层上的源漏金属。该晶体管结构应用高性能二维结...

本发明公布了一种硅基异质结遂穿场效应晶体管结构，该器件结构包括：一N型掺杂的硅半导体层；一本征的硅基半导体层；一P型硅锗过渡层；一P型锗半导体层；一在N型掺杂的硅半导体层上形成的漏电极；一在P型锗半导体材料上形成的源电极；一在I型半导体...

本发明公布了一种GaN沟道MOS界面结构，其结构依次为：一P型掺杂的氮化镓沟道层，一在氮化镓沟道层上生长的AlON界面层；一在该AlON界面层上生长的HfAlON介质过渡层；一在该HfAlON介质过渡层上沉积的20纳米HfO

本发明提供一种硅基遂穿场效应晶体管结构，其包括：一半绝缘硅衬底片，一N型掺杂的硅半导体层，一P型掺杂的硅锗半导体层，一氧化硅绝缘层，一位于N型掺杂的硅半导体层和P型硅锗层之间的栅介质层，一钨硅合金栅金属电极，一在N型掺杂的硅半导体层上形...