电子科技大学专利技术

电子科技大学共有28548项专利

  • 一种基于三维外延薄膜结构的光电探测器及其制备方法,属于近红外探测器技术领域。所述光电探测器包括衬底,以及形成于衬底之上的光电薄膜和电极,所述衬底和光电薄膜形成pn结构,其特征在于,所述衬底为带阵列凹槽的三维结构,所述光电薄膜形成于衬底表...
  • 一种应用于中远红外光电探测的磁性铁氧体/半金属Bi复合薄膜及其制备方法,属于光电探测技术领域。所述复合薄膜包括衬底,以及依次形成于衬底之上的磁性铁氧体薄膜层和Bi薄膜层。本发明提供的复合薄膜中,Bi半金属薄膜厚度的改变会导致复合薄膜红外...
  • 本发明涉及功率半导体领域,提供一种具有载流子存储层的槽栅IGBT器件,用以解决现有的具有载流子存储层(CSL)的槽栅IGBT饱和电压高、短路安全工作区较小以及CSL浓度受限的问题,提出一种新型具有载流子存储层的槽栅IGBT器件。本发明I...
  • 本发明涉及功率半导体领域,提供一种利用二极管钳位的具有载流子存储层的IGBT器件,用以克服现有的具有载流子存储层(CSL)的槽栅IGBT饱和电压高、短路安全工作区较小以及CSL浓度受限的问题;本发明IGBT在槽栅IGBT工艺上直接在硅片...
  • 本发明实例公开了一种光电探测器及其制造方法,该系统的原理:将有机聚合物与钙钛矿巧妙的结合,将光电探测与LED创新性的集成,系统受到不同波段光照射时,光电探测层将其吸收并产生电子空穴对,空穴注入到钙钛矿量子点发光层驱使其发光。由于不同波段...
  • 本发明提供一种基于N型外延的JCD集成器件及其制备方法,属于功率半导体集成技术领域。本发明首次实现了将高模拟精度的JFET部分,高集成度、方便逻辑控制和低功耗的CMOS部分以及快开关速度的高压控制DMOS部分集成在同一芯片上,使之具备系...
  • 本发明属于真空电子器件中的微波源技术领域,提供一种具有模块化特性的磁控管结构,包括n个锁频锁相电路和n+1个磁控管、n≥1;所述锁频锁相电路包括两个耦合器,每个耦合器由依次连接的工字型波导阻抗变换器、矩形波导、圆盒形波导输出窗及法兰构成...
  • 本发明属于空间行波管非线性技术领域,涉及一种空间行波管的螺旋线及其设计方法。本发明首先通过将输入螺旋线初始端的一段改变为正渐变螺线段,从而对群时延失真产生抑制作用;之后再在加入的正渐变螺线段之前加入一段均匀螺线段,从而在保证群时延抑制效...
  • 本发明提供一种适合直线扫描轨迹的锥束断层重建方法,其特点是X射线源和检测器间无相对运动,与待检测物体间存在均匀的直线运动,系统运动过程中,等时间间隔获得沿直线扫描轨迹的投影数据;对待检测物体进行切片式网格划分,计算切片式网格的全变差系数...
  • 本发明公开了一种基于多尺度网络的稀疏深度稠密化方法。属于计算机视觉的深度估计技术领域。本发明使用多尺度卷积神经网络,将RGB图像数据和稀疏点云数据进行有效的融合,最终得出稠密的深度图像。将稀疏点云映射到二维平面生成稀疏深度图,并与RGB...
  • 本发明公开了一种基于关联环签名的拜占庭容错共识优化方法,其包括接收Pre‑Prepare消息并对其进行关联环签名;接收PREPARE消息,并确定发送PREPARE消息的节点为PREPARE消息内公钥环中的成员后,对PREPARE消息进行...
  • 本发明公开了一种分布式交通流预测方法及系统,所述方法,包括:步骤1,获取交通流数据;步骤2,采用预先建立的分布式交通流预测模型对交通流数据进行处理得到预测结果;其中,所述分布式交通流预测模型的生成方法为:步骤2.1,基于交通流数据计算实...
  • 本发明涉及信息控制技术领域,公开了一种基于循环神经网络的多核芯片热管理方法。本发明使用循环神经网络的方法建立多核芯片热模型,传统的循环神经网络在对考虑静态功耗的多核芯片建立热模型时存在长期依赖性问题;采用回声状态网络的方法避免此问题,对...
  • 本发明属于通信抗干扰技术领域,具体的说是涉及密钥生成系统中基于改进小波变换的预处理方法。本发明针对密钥生成系统中初始不一致率较高的问题提出了基于改进小波变换的信道特征测量值预处理方案,通过保留原始接收信号进行小波变换分解得到的低频近似分...
  • 本发明公开了基于超薄介电间隔层的钙钛矿发光器件,属于电致发光器件技术领域,包括从下到上依次设置的衬底层、阳极层、空穴传输层、电子传输层以及阴极,所述阳极层和阴极之间通过外加电源电连通,形成完整的电路;所述空穴传输层和所述电子传输层之间设...
  • 本发明设计功率半导体技术,具体的说是一种低结温高耐压的GaN异质结场效应晶体管。本发明的GaN异质结场效应晶体管,主要为通过在势垒层插入AlN区域来降低沟道峰值电场,进而达到增大耐压和减少散热的目的。另外,本发明采用导热特性良好的AlN...
  • 一种集成VDMOS的JCD集成器件及其制备方法,属于功率半导体集成技术领域。本发明首次实现了在同一芯片上制作JFET﹑CMOS﹑VDMOS,同时还能将poly电容、poly电阻以及poly二极管等无源元件与之集成构成电路。本发明不仅结合...
  • 本发明涉及一种基于P型外延的JCD集成器件及其制备方法,属于功率半导体集成技术领域。本发明通过以下主要工艺步骤:制备衬底;形成N+埋层;生长P型外延层;形成穿通隔离区;制备场氧;N阱注入、推阱;P阱注入、推阱;JFET的栅极N型区注入、...
  • 本发明属于信号处理领域,提供一种基于时延和多普勒的分布式网络粒子滤波可变扩散组合系数直接跟踪定位方法,旨在解决在网络信噪比环境复杂或恶劣时,固定权系数的方法追踪性能恶化的问题;本发明提出利用局部中间状态估计值构造局部最优代价函数,应用子...
  • 本发明涉及一种基于道路信息库和目标道路约束特性的变结构多模型目标跟踪算法,构建道路信息库,应用路网为基础的道路地理环境自身的约束能力以及不同类型目标对不同道路地理环境的适应能力作为先验信息辅助地面目标跟踪,通过先验知识的充分利用提高地面...