本发明涉及一种场效应晶体管，其包括：a.源极扩散，其连接于源极端子；b.漏极扩散，其连接于漏极端子；c.第三扩散，其连接于双向电流端口，介于所述源极扩散和所述漏极扩散之间，用于在所述源极扩散和所述第三扩散之间界定源极沟道部分并且在所述漏...

本发明涉及一种固态装置，其是新颖及发明性复合装置结构，从而实现利用亚阈值操作的基于电荷的方法，以用于设计模拟CMOS电路。确切地说，本发明涉及基于一对互补n型及p型电流场效应晶体管的固态装置，所述电流场效应晶体管中的每一个具有两个控制端...

本发明涉及使用互补对的电流注入场效应晶体管(iFET)装置(CiFET)的低噪声传感器放大器和跨阻抗放大器。CiFET包括N型电流场效应晶体管(NiFET)和P型电流场效应晶体管(PiFET)，所述NiFET和PiFET中的每一个都具有...

本发明涉及一种集成数据转换器，具体地涉及使用基于电荷的方法的模数转换器(ADC)和数模转换器(DAC)。电流场效应晶体管的互补对用于形成可扩展ADC的放大器，并且公开了DAC，包含逐次逼近数据转换器(ADC和DAC)和流水线数据转换器(...

本发明涉及新颖及发明性复合装置结构，从而实现利用亚阈值操作的基于电荷的方法，以用于设计模拟CMOS电路。确切地说，本发明涉及基于一对互补n型及p型电流场效应晶体管的固态装置，所述电流场效应晶体管中的每一个具有两个控制端口，亦即低阻端口和...

本发明涉及一种多级式且前馈补偿的互补电流场效应晶体管放大器，实现利用在亚阈值操作中引发的指数属性的基于充电的方法。新颖电流场效应晶体管的多个互补对串联连接以形成多级放大器。

本发明涉及一种用于低噪声电流放大器或跨阻抗放大器的新颖和创造性的复合装置结构。所述跨阻抗放大器包含：放大器部分，所述放大器部分使用一对互补的新颖n型和p型电流场效应晶体管(NiFET和PiFET)来将电流输入转换为电压；以及使用另一对互...

现有的与绝对温度成比例(PTAT)/与绝对温度互补(CTAT)参考电压电路需要一种对准确度和对温度及湿度的不符合要求的灵敏度误差或变化进行匹配的较大组件计数和占地面积的精确装置。本发明涉及一种用于这种基于一对自偏置互补的n型和P型电流场...