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碳化硅半导体器件制造技术
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文档序号:9995326
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第一层(2)具有n型导电性。第二层(3)是外延形成在第一层(2)上并具有p型导电性的层。第三层(4)是形成在第二层(3)上并具有n型导电性的层。当施主型杂质的浓度被定义为ND,受主型杂质的浓度被定义为NA,并且在深度方向上从在第一层(2)和...
该专利属于住友电气工业株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过住友电气工业株式会社授权不得商用。
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