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本发明提供了提升MOSFET性能和NBTI的方法和结构，并公开了形成p型场效晶体管（pFET）结构的方法的一个实施例。该方法包括：在半导体衬底上形成掩模层，掩模层包括开口，开口露出半导体衬底的半导体区；通过掩模层的开口对半导体衬底执行n型掺...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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