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本发明描述切割各具有多个集成电路的半导体晶圆的方法。所述方法包括在所述半导体晶圆上方形成掩模。所述掩模由覆盖及保护所述集成电路的层所组成。以分裂束激光划线处理将所述掩模图案化，以提供具有多个间隙的经图案化的掩模。所述图案化曝露位于所述集成电...
该专利属于应用材料公司所有，仅供学习研究参考，未经过应用材料公司授权不得商用。

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