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本发明公开了双晶体管非易失性存储器单元及相关的编程和读取方法，其中，一种存储器器件包括N沟道晶体管和P沟道晶体管。字线电连接至N沟道晶体管的漏极端和P沟道晶体管的源极端。第一位线电连接至N沟道晶体管的源极端。第二位线电连接至P沟道晶体管的漏...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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