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本发明提供了一种半导体结构的制造方法，该方法包括以下步骤：a）提供SOI衬底，在所述SOI衬底上形成栅极堆叠；b）对源区和漏区进行非晶化注入，其中源区非晶化注入中的工艺温度高于漏区非晶化注入中的工艺温度；c）进行源/漏区掺杂；d）退火，激活...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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