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本实用新型涉及半导体器件。提供了能够减小源极电极间电阻RSS（导通）并且减小芯片大小的半导体器件。根据本实用新型的半导体器件包括：芯片，其被分区为包括第一区域、第二区域和第三区域的三个区域；以及，公共漏极电极，其被设置在芯片的背表面上，其中...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。

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