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本发明公开了用于多栅极晶体管的装置和装置，其中，该装置包括具有第一晶体取向的衬底和有源区域，有源区域的上部具有第二晶体取向并且有源区域的上部在两侧被栅极结构环绕。该装置还包括被隔离区域围绕的沟槽，有源区域的上部位于隔离区域的顶面之上。...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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