专利查询
首页
专利评估
登录
注册
当前位置:
首页
>
专利查询
>
中国科学院微电子研究所
>
半导体器件制造方法技术
>技术资料下载
下载半导体器件制造方法的技术资料
文档序号:9766944
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本发明公开了一种半导体器件制造方法,包括:在衬底上形成栅极堆叠结构;在衬底以及栅极堆叠结构上沉积第一介质材料层;刻蚀第一介质材料层,形成第一侧墙;执行LDD和Halo掺杂注入;在衬底以及第一侧墙上依次沉积第二介质材料层和第三介质材料层;依次...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。
详细技术文档下载地址
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。