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碳化硅半导体器件制造技术
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文档序号:9721868
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第一、第二、第四和第五杂质区(11、12、21、22)具有第一导电类型,并且第三杂质区(13)具有第二导电类型。第一至第三杂质区(11-13)到达第一导电类型的第一层(34)。第四和第五杂质区(21、22)设置在第二层(35)上。第一至第五...
该专利属于住友电气工业株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过住友电气工业株式会社授权不得商用。
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