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本发明公开了一种制造非易失性存储器件的方法，包括以下步骤：在衬底上形成交替层叠有多个第一层间绝缘层和多个牺牲层的结构；形成被构造成穿通所述结构的主沟道孔；在所述主沟道孔的内壁上顺序地形成初级电荷陷阱层、隧道绝缘层和沟道层；形成构造为穿通在每...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。

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