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本发明提供了一种具有保护间隙壁的晶体管器件制造方法。本发明中，在形成栅极间隙壁之后，增加了一层保护间隙壁，之后，通过STI结构、栅极间隙壁、保护间隙壁以及栅极上的硬掩模层作为掩模，各向异性地自对准形成了源漏区域凹槽，由于保护间隙壁的存在，栅...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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