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本发明提供了一种具有梯形源漏区域的晶体管制造方法。在本发明的方法中，采用第一间隙壁和第二间隙壁形成了复合间隙壁，其中，第二间隙壁的厚度大于第一间隙壁的厚度，通过腐蚀第二间隙壁正下方的部分或全部第一间隙壁材料层，暴露出符合间隙壁下方的衬底表面...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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