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本发明公开了一种发光元件及其制作方法,该发光元件包括沿层叠方向依次层叠的衬底、第一导电型半导体层、发光层和第二导电型半导体层,还包括:第一正电极,位于所述第二导电型半导体层的正面;第一负电极,位于所述第一导电型半导体层上;第二正电极,位于所...该专利属于东莞市正光光电科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过东莞市正光光电科技有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种发光元件及其制作方法,该发光元件包括沿层叠方向依次层叠的衬底、第一导电型半导体层、发光层和第二导电型半导体层,还包括:第一正电极,位于所述第二导电型半导体层的正面;第一负电极,位于所述第一导电型半导体层上;第二正电极,位于所...