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本发明的课题是提高半导体装置的性能。使用包括衬底(SB1)上的绝缘层(BX)和绝缘层(BX)上的半导体层(SM1)的SOI衬底(SUB)来制造半导体装置。半导体装置包括：隔着栅极绝缘膜形成在半导体层(SM1)上的栅极电极、形成在栅极电极的侧...
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