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本发明涉及了一种器件，该器件包括晶圆衬底、形成在晶圆衬底中的截顶圆锥结构和围绕着截顶圆锥结构的中部的栅极全包围(GAA)结构。该截顶圆锥结构包括形成在截顶圆锥底部的漏极、形成在垂直截顶圆锥的顶部的源极和形成在截顶圆锥的中部的接触源极和漏极的...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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