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本发明提供一种图案化工艺，包括在一待定义层上形成一具有多个第一开口部的第一掩模层。在第一掩模层上及第一开口部内顺应性形成一第二掩模层。对第二掩模层实施一斜角离子注入，以在第二掩模层形成多个掺杂区域及多个未掺杂区域。蚀刻去除未掺杂区域，以形成...
该专利属于南亚科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南亚科技股份有限公司授权不得商用。

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