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本发明涉及使用可变存储单元状态定义的非易失性存储器件和操作方法。一种操作非易失性存储器件的方法包括连续地编程存储单元而不物理擦除该存储单元。每次对存储单元的连续编程使用不同的擦除状态区来指示该存储单元的擦除状态。...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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