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半导体存储器件制造技术
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文档序号:9669030
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本发明公开了一种半导体存储器件,包括:存储串,每个存储串包括漏极选择晶体管、存储器单元以及源极选择晶体管;第一位线,与存储串之中的第一组存储串的漏极选择晶体管耦接;第二位线,与存储串之中的第二组存储串的漏极选择晶体管耦接;源极线,与存储串的...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。
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