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本实用新型公开了一种碳化硅半导体器件，包括半导体衬底、缓冲层和导电外延层，在所述导电外延层上设有栅电极和源极，所述栅电极包括栅介质层和多晶硅层，在所述导电外延层内设有阱区，在所述阱区内设有源区，其特征在于：所述栅介质层包括下层二氧化硅层、位...
该专利属于厦门天睿电子有限公司;黄国华所有，仅供学习研究参考，未经过厦门天睿电子有限公司;黄国华授权不得商用。

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