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一种减小负偏压温度不稳定性的CMOS器件制作方法，包括：第一步骤，在衬底中进行阱注入形成P型阱以及N型阱；第二步骤，在衬底表面制作栅极氧化层；第三步骤，在栅极氧化层表面进行栅极层的淀积；第四步骤，对栅极层进行光刻以形成在P型阱上形成PMOS...
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