下载石墨烯场效应管的制作方法的技术资料

文档序号:9597951

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本发明提供一种石墨烯场效应管的制作方法,包括:提供表面形成有二氧化硅层的半导体衬底;形成浮动电势交流介电泳结构:至少一第一子电极的第一电极部、至少包括一第二子电极和子电极连接线的第二电极部和至少一第三子电极的第三电极部,所述子电极连接线贯穿...
该专利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院上海微系统与信息技术研究所授权不得商用。

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