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本发明提供了多栅极FET及其形成方法。一种方法包括氧化半导体鳍以在该半导体鳍的相对侧壁上形成氧化物层。该半导体鳍位于隔离区的顶面上方。在氧化之后，实施倾斜注入以将杂质注入半导体鳍。在倾斜注入之后去除氧化物层。...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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