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具有掩埋位线的半导体器件及其制造方法技术
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文档序号:9570130
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本发明公开了一种具有掩埋位线的半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括:由金属硅化物形成的掩埋位线、和形成在分隔开掩埋位线的沟槽之下的衬底中的硅化防止区。...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。
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