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本公开涉及半导体器件及其制造方法。通过改善作为半导体器件的特征的EM特征、TDDB特征、以及耐压，改善该半导体器件的可靠性。使得下层绝缘层中的第一空孔的平均直径小于上层绝缘层中的第二空孔的平均直径，由此增加了所述下层绝缘层中的弹性模数，所述...
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