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本发明公开了一种具有U形管状沟道的无PN结晶体管及其制造方法，在SOI晶圆表面的晶圆氧化层上方形成具有三维几何特征的U形管状沟道的硅体、U形管状沟道的硅体的表面形成的具有三维几何特征的二氧化硅绝缘层、绝缘层表面形成的具有三维几何特征的栅电极...
该专利属于沈阳工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过沈阳工业大学授权不得商用。

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