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本发明提供了制造FinFET器件的许多不同的实施例，这些实施例提供了优于现有技术的一种或者多种改进。在一个实施例中，制造FinFET器件的方法包括提供半导体衬底以及位于所述半导体衬底上的多个伪鳍和有源鳍。去除预定的伪鳍组。...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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