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一种伪晶型高电子迁移率晶体管和异质接面双极晶体管磊晶改良结构及其加工方法，其中前述改良结构包括有一基板、一伪晶型高电子迁移率晶体管结构层、一蚀刻终止分隔层以及一异质接面双极晶体管结构层；其中该伪晶型高电子迁移率晶体管结构层的结构包括有一缓冲...
该专利属于稳懋半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过稳懋半导体股份有限公司授权不得商用。

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