温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及肖特基势垒二极管。所述肖特基势垒二极管包括：GaN层（3）和肖特基电极（4），所述肖特基电极（4）形成在所述GaN层（3）上，其中，使与所述肖特基电极（4）相接触的所述GaN层（3）的区域（3c）的位错密度为1×108cm-2或更...
该专利属于住友电气工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过住友电气工业株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。