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本发明公开了一种基于MEMS工艺的多档位高速实时可变电阻，该电阻包括硅基底、可变电阻层、绝缘层和控制开关组层，通过接通控制开关组层中不同的控制电极来接通或断开可变电阻层中的导线，实现其阻值由大减小或由小增大的变化。本发明涉及半导体器件领域，...
该专利属于北京理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京理工大学授权不得商用。

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