【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种基于MEMS工艺的多档位高速实时可变电阻，其组成是：硅基底、可变电阻层、绝缘层、控制开关组层；其特征是：可变电阻层由若干条阻值互异的电阻线、输入电极和输出电极组成，各电阻线均经过不同控制开关的作用区；绝缘层用于保持可变电阻层与控制开关层绝缘；控制开关组层内的控制电极开关组由若干独立控制的换能元组成，一个换能元构成一个独立控制开关，各对控制电极开关可根据外部控制信号断开或接通可变电阻层某些电阻线，使所述一种基于MEMS工艺的多档位高速可变电阻的输入和输出端之间的阻值发生变化，该变化不可逆并且该阻值是非易失性的。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：娄文忠，丁旭冉，赵越，刘鹏，王辅辅，
申请(专利权)人：北京理工大学，
类型：发明
国别省市：
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