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本发明公开了一种用于在半导体衬底上形成薄膜的装置和方法。在一个实施例中的装置包括：工艺室，被配置成用于支撑衬底；气体激励电源；以及第一分配喷头和第二气体分配喷头，与包含膜前体的反应工艺气体供给部流体连通。喷头将气体散布到衬底上方的两个不同区...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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