【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种用于在半导体衬底上形成薄膜的装置，包括：工艺室，被配置成支撑所述衬底；第一气体分配喷头，设置在所述室中，所述第一喷头与工艺气体供给系统流体连通并且用于将工艺气体散布到所述室中位于所述衬底上方的第一区域中；第二气体分配喷头，设置在所述室中，所述第二喷头与所述工艺气体供给系统流体连通并且用于将所述工艺气体散布到所述室中位于所述衬底上方的第二区域中，所述第二区域不同于所述第一区域；以及气体激励电源系统，与所述工艺室电连接，所述电源系统用于激发所述工艺气体并在所述工艺室内生成用于在所述衬底上形成材料膜的气体等离子体。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：周友华，李志聪，吴淑芬，林进祥，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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