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描述一种蚀刻图案化异质构造上的暴露的氧化硅的方法，所述方法包括由含氟前驱物形成的远程等离子体蚀刻。来自远程等离子体的等离子体流出物流进衬底处理区域，在该处等离子体流出物与水蒸气结合。在一些实施方式中，由所述结合所造成的化学反应产生反应物，这...
该专利属于应用材料公司所有，仅供学习研究参考，未经过应用材料公司授权不得商用。

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