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本公开内容提供了一种集成电路。集成电路包括：半导体衬底；n-型场效应晶体管(nFET)，形成在半导体衬底上方并且具有包括高k介电层、位于高k介电层上方的保护层、位于保护层上方的p功函金属以及位于p功函金属上方的多晶硅层的第一栅叠层；以及p-...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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