【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种集成电路，包括：半导体衬底；n型场效应晶体管(nFET)，形成在所述半导体衬底上并且具有包括高k介电层、位于所述高k介电层上的保护层、位于所述保护层上的p功函金属和位于所述p功函金属上的多晶硅层的第一栅叠层；以及p型场效应晶体管(pFET)，形成在所述半导体衬底上并且具有包括所述高k介电层、位于所述高k介电层上的所述p功函金属和位于所述p功函金属上的金属材料的第二栅叠层。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：朱鸣，黄仁安，刘继文，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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