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本发明公开了一种半导体器件，所述半导体器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有多个隔离区；多个沟槽，其中，所述多个沟槽的每个形成在多个隔离区中的相应的隔离区中，并且所述多个沟槽沿着第一方向平行布置；多个栅极线，所述多个栅极线沿着与多个沟槽交...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。

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