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本发明公开了非易失性存储单元和方法。在一种装置中，形成在半导体衬底的一部分中的非易失性存储单元的阵列包括：第一存储单元，具有第一位单元和第二位单元；第二存储单元，具有第三位单元和第四位单元；以及列复用器，耦合至多条列线，列线中的选定一条耦合...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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