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一种半导体制造方法包括在衬底的第一区域上形成第一功函数金属层以及在衬底的第二区域上和第一功函数金属层上形成金属层。在金属层上形成伪层。然后图案化这些层，从而在衬底的第一区域中形成第一栅极结构并且在第二区域中形成第二栅极结构。然后去除伪层，从...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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