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本发明公开了一种显露穿硅通孔的方法。首先于一半导体基板中形成一穿硅通孔，该穿硅通孔包括一铜金属层、一阻障层及一绝缘层；接着于该半导体基板的底面及该穿硅通孔上覆盖一介电层；于介电层上形成一牺牲层；将部分的该牺牲层、该介电层、该绝缘层及该阻障层...
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