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本发明提供了一种SRAM单元结构。在一个实施例中，位单元第一层接触件形成于第一CVdd节点和第二CVdd节点、第一CVss节点和第二CVss节点、位线节点、位线条节点、数据节点和数据条节点；并且第二层接触件形成于在第一CVdd节点和第二CV...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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