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一种直通硅穿孔制造方法包括：在硅板中蚀刻多个直通孔。将氧化物衬垫沉积在硅板的表面上并且沉积在直通孔的侧壁及底壁上。然后，在直通孔中沉积金属导体。在可与氧化物衬垫同时使用的另一方案中，将氮化硅钝化层沉积在基板的硅板的暴露后表面上。...
该专利属于应用材料公司所有，仅供学习研究参考，未经过应用材料公司授权不得商用。

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