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本发明的实施例一般涉及用于半导体处理腔室的接地套件和具有接地套件的半导体处理腔室。更具体地说，在此描述的实施例涉及建立不对称接地路径的接地套件，该不对称接地路径经选择以显著地减少由偏离中心的RF功率输送所引发的不对称性。...
该专利属于应用材料公司所有，仅供学习研究参考，未经过应用材料公司授权不得商用。

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