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本发明涉及一种直立式电容结构及其制作方法，属于微电子无源器件技术领域。其结构具体包括：位于晶圆衬底内的深沟结构、依次淀积于深沟内侧壁的绝缘层和导电层、以及填充于导电层之间的介电层。绝缘层、导电层、介电层与深沟等高。采用基于垂直衬底方向上扩展...
该专利属于北京理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京理工大学授权不得商用。

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